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簡(jiǎn)要描述：SOI芯片光電探測(cè)器集成度高，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)了多通道光電探測(cè)器的單片化集成，可片上集成光學(xué)混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關(guān)性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。
產(chǎn)品型號(hào)：ZG廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2024-08-01訪 問 量：696詳細(xì)介紹
| 品牌 | 梓冠 |
|---|
SOI芯片光電探測(cè)器陣列
SOI Chip-based Photodetector Array
SOI芯片式光電探測(cè)器陣列，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)了多通道光電探測(cè)器的單片化集成，可片上集成光學(xué)混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關(guān)性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。
〖性能指標(biāo)Specifications
參數(shù)指標(biāo) Parameters
| 單位 Unit | 最小值 Min. | 典型值 Typ.
| 最大值 Max. | 備注 Notes |
波長(zhǎng)范圍 Wavelength range | nm | 1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm
| |||
暗電流 Dark current
| nA | 35 | 50 | ||
3 dB模擬帶寬 3 dB bandwidth | GHz | 28 | |||
光飽和功率 Optical saturation power | mW | 10 | |||
響應(yīng)度 Responsibility | A/W | 0.8 | 0.85 | ||
90度光學(xué)混頻器損耗 90°mixer loss | dB | 6 | 6.5 | 6.7 | |
90度光學(xué)混頻器相位失衡度 90°mixer phase unbalance | ° | 5 | |||
通道數(shù) Number of channels | 8或可定制 8 or Can be customized | ||||
光纖接入損耗 Insertion loss | dB | ≤0.5 | |||
偏振相關(guān)損耗 PDL | dB | ≤0.3 | |||
工作溫度范圍 Operating temperature range | °C | -20 | 50 | ||
工作濕度范圍 Operating humidity range | % | +65 | |||
芯片尺寸 Chip Dimensions | mm | 4(L)×5(W)×0.5(H) | |||
光電探測(cè)器集成度高
SOI芯片光電探測(cè)器集成度高
SOI芯片光電探測(cè)器集成度高
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